之后用NH4Cl对Mg3N2进行氢解、江豚氯解以释放NH3并再生MgCl2。

而且拼接后的单晶片边界线十分明显，常驻而且边界部位存在更多的缺陷和应力，常驻同时，过大的拼接单晶其中心与边缘的功率密度差异会造成生长不均匀，从而导致结晶质量下降。在电子与热学性能方面，南京金刚石相比传统的硅、南京以及目前开始应用的宽禁带半导体氮化镓、碳化硅，具有更高的临界击穿电场、高电子迁移率、高热导率等优势，是制造高压、高温、高频、抗辐照及低功率损耗半导体器件最有希望的半导体材料，被业界誉为终极半导体。

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对p型金刚石来说，江豚原子尺寸较小的硼很容易就能融入金刚石晶格之中，不存在晶体取向问题。而磷掺杂则存在激活能过高、常驻掺入效率低、电导特性差等问题，因此制备的n型掺杂金刚石薄膜的电阻率也达不到制作器件的要求[7]。

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